(全球TMT 2026年09月24日讯)全球硅知识产权（IP）领导供应商 M31 円星科技（M31）与超低功耗边缘 AI 半导体解决方案领先厂商 Ambiq 在台积公司北美开放创新平台论坛（TSMC North America OIP Forum）联合宣布，双方合作开发并推出一套基于台积公司 N12e® 工艺的超低功耗 Foundation IP（基础 IP）解决方案。该方案集成经优化的 SPSRAM 存储器编译器与专为 Ambiq 平台需求共同开发的超低漏电标准单元库，可帮助 IC 设计客户在 AIoT、可穿戴设备及其他"常开"（Always-on）边缘应用中，满足日益严苛的功耗与面积预算要求。

本次 Foundation IP 内容包含一套台积公司 N12e® ULL（超低漏电）SPSRAM 存储器编译器，目标是在极低漏电的前提下，同时实现高密度、高性能与面积优化，并集成冗余机制、电源门控及内置自测试等关键低功耗功能。该编译器通过电路设计与物理实现的深度协同优化，在相同的存储器宏（Macro）占用面积下，可同时支持高性能与超低功耗两种工作模式。在低功耗模式下，其双电源轨架构可在近临界电压的外设电压条件下实现接近 500 MHz 的工作频率，并将 VCCA 数据保持模式下的漏电控制在约为bit-cell总保持漏电（Total bit-cell retention leakage）的 1.05–1.1 倍。

与存储器编译器相辅相成的是，M31 提供的台积公司 N12e® 标准单元库。该单元库系专为 Ambiq 平台需求而开发，通过与 Ambiq 的设计层级协作，结合其级联式（cascade-style）低功耗方法与 M31 在电路与物理实现上的创新，约可降低 50% 的漏电功耗。