（全球TMT2026年5月27日讯）全球电子设计与制造服务领导厂商USI环旭电子5月27日宣布，其于新世代功率解决方案领域所开发的先进功率半导体封装技术取得重大突破。环旭电子成功将碳化硅（SiC）晶粒预埋于多层ABF基板之中，并创新采用单面铜裸露（SSC）模块封装技术，使得业界标准功率封装体得以整合陶瓷绝缘基板与无线键合工艺。

为响应市场对高效率、高散热及高功率密度的迫切需求，环旭电子的芯片预埋封装技术相较于传统封装方案，能显著降低导通损耗、减少热能累积，并强化长期运作的可靠性。透过内部整合陶瓷基板，封装体即可提供稳定的电气绝缘效果，无需依赖外部绝缘材料；同时，创新的无线键合工艺使得薄型封装能容纳更大芯片，进一步提升功率密度，并推动高集成系统设计的实现。环旭电子指出，此项技术突破将推动汽车与工业市场加速迈向更高效率的新世代电气化平台。

除了功率模块外， 环旭电子亦提供涵盖设计至量产的一站式汽车动力系统服务，包括高密度400V/800V逆变器系统、智能电池断电单元（iBDU），以及整合OBC 与DCDC转换器的Xin1系统方案。USI环旭电子将于2026年6月9日至11日参加在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2026，展示其最新芯片预埋封装技术、先进功率模块及系统整合解决方案。