（全球TMT2026年3月11日讯）韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry宣布，公司近期已完成SiC（碳化硅）平面MOSFET工艺平台的开发，并已获得一家新客户的1200V SiC MOSFET产品开发订单，启动了产品开发工作。这标志着其全面启动SiC化合物半导体代工业务。

SK keyfoundry推出的全新SiC平面MOSFET工艺平台支持450V至2300V的宽电压范围，在高压工作环境下获得了高可靠性与稳定性数据。此外，通过全面优化工艺流程并实现对核心制程的精准管控，公司已将产品良率提升至90%以上，同时提高了生产效率。完成样片评估和可靠性验证后，公司计划于2027年上半年启动全面量产。