（全球TMT2025年12月18日讯）全球客制化存储芯片解决方案设计公司爱普科技宣布，S-SiCap（Stack Silicon Capacitor）产品线持续深化技术布局，聚焦AI服务器与高性能计算（HPC）的整合挑战。S-SiCap产品线涵盖分离式硅电容（Discrete Devices）与硅电容中介层IPC（InterPoser with silicon Capacitor）两大类型，对应不同系统架构与应用情境，满足多元设计需求。

爱普科技的分离式硅电容S-SiCap Gen4电容值密度较前一代Gen3再增逾50%。Gen4率先导入嵌入式基板（Embedded Substrate）封装，目前已送样进行制程验证，量产导入时程将自2026年起逐步展开。另一方面，硅电容中介层S-SiCapT Interposer采用硅晶圆作为中介层基板，内建高电容密度的硅电容，显著强化裸晶对裸晶（Die-to-Die）、序列器／解序列器（SerDes）及高带宽内存（HBM）等高速I/O应用的信号与电源稳定性。爱普并携手供应链合作，导入接合曝光技术(reticle-stitching technology)，扩展中介层裸晶面积，进而承载更多Chiplet IC。目前S-SiCap Interposer已完成客户端的封装与可靠度验证，并于第三季末正式进入四个reticle的量产阶段，新项目亦陆续展开。