（全球TMT2024年9月13日讯）英飞凌科技股份公司宣布，已成功开发出全球首项300 mm氮化镓(GaN)功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握这一突破性技术的企业。这项突破将极大地推动GaN功率半导体市场的发展。相较于200 mm晶圆，300 mm晶圆芯片生产不仅在技术上更先进，也因为晶圆直径的扩大，每片晶圆上的芯片数量增加了2.3倍，效率也显著提高。

英飞凌已在其位于奥地利菲拉赫的功率半导体晶圆厂中，利用现有300 mm硅生产设备的整合试产线，成功地生产出300 mm GaN晶圆。英飞凌正通过现有的300 mm硅和200 mm GaN的成熟产能发挥其优势，同时还将根据市场需求进一步扩大GaN产能。据估计，到2030年末，GaN市场规模将达到数十亿美元。2024年11月，英飞凌将在慕尼黑电子展上向公众展示首批300 mm GaN晶圆。由于GaN和硅制造工艺十分相似，因此可以利用现有设备，加快实现速度并有效利用资本，使同级别硅和GaN产品成本接近持平。