（全球TMT2024年8月29日讯）SK海力士宣布，该公司已开发出业界首款采用1c节点的16Gb DDR5，这是第六代10nm工艺。这一成功标志着存储器制程技术向接近10nm水平的极限扩展的开始。

虽然推进10nm DRAM微缩工艺的难度已经增加了几代，但SK海力士凭借业界领先的第五代10nm制程技术“1b”，在业界率先突破了技术限制，提高了设计完成度。SK海力士表示，将在年内批量生产1c DDR5，并从明年开始批量出货。

与上一代产品相比，新产品在极紫外光(EUV)的某些工艺中采用了新材料，同时优化了EUV的总体应用工艺，从而提高了成本竞争力。SK海力士也通过设计技术革新，将生产效率提高了30%以上。

预计将用于高性能数据中心的1c DDR5的运行速度比上一代提高了11%，达到8Gbps。随着电源效率的提高，SK海力士预计，在AI时代的进步导致功耗增加的情况下，采用1c DRAM将帮助数据中心将电力成本降低多达30%。