（全球TMT2024年6月20日讯）韩国8英寸晶圆代工厂SK启方半导体(SK keyfoundry)宣布，已确保新一代功率半导体GaN（氮化镓）的关键器件特性。公司正在加大GaN的开发力度，力争在年内完成开发工作。公司于2022年成立了一个专职团队来推动GaN工艺的开发。日前，公司已得到650V GaN HEMT的新器件特性，并计划在今年年底完成开发工作。

该公司预计，硅基650V产品将为快速充电适配器、LED照明、数据中心和ESS以及太阳能微型逆变器等市场的无晶圆厂客户带来开发优质产品的优势。除了争取新客户外，SK启方半导体还计划积极向对650V GaN HEMT技术感兴趣的现有功率半导体工艺客户推广该技术。同时，公司计划以650V GaN HEMT为基础，打造GaN产品组合，可为GaN HEMT和GaN IC提供多种电压支持。