(全球TMT 2026年09月09日讯)韩国纯代工模式8英寸晶圆代工厂DB HiTek宣布，其基于8英寸（200毫米）晶圆的1200V碳化硅(SiC) MOSFET工艺已顺利完成可靠性认证。该成果是该公司进军8英寸SiC代工市场的重要进展，计划于2027年实现量产。

DB HiTek建成全球首套完整1200V 8英寸碳化硅(SiC)代工工艺流程，向客户提供了其专有第一代与第二代1200V SiC MOSFET工艺对应的工艺设计套件(PDK)。第三代PDK计划于今年11月发布。借助该类PDK，客户有望将产品开发周期缩短一年以上。

计划于11月推出的第三代工艺正在开展认证工作。认证全部完成后，DB HiTek将向客户提供第三代PDK。DB HiTek计划于今年第三季度完成工艺筹备，优先向长期合作客户开放使用；2027年第二季度面向全部客户正式开放这项代工服务。