（全球TMT2026年4月14日讯）国内化合物半导体龙头三安光电，正依托碳化硅、金刚石等宽禁带材料的全链布局，从材料源头切入先进封装，直击高功率芯片的散热痛点。三安光电旗下湖南三安聚焦碳化硅中介层、热沉散热、AR光学衬底三大方向，多项成果已进入送样或批量交付阶段。

当前主流的CoWoS封装技术中，硅中介层在高功率场景下散热能力捉襟见肘。碳化硅热导率约为硅的3倍，可将GPU芯片结温降低20–30°C，散热成本下降约30%。三安光电已实现12英寸碳化硅衬底的研发与小批量送样。随着封装集成度提升，热管理已从辅助环节升级为核心痛点。三安光电采用碳化硅、金刚石双路线并行策略。其研发的金刚石热沉基板在大功率激光器中较传统陶瓷基板热阻降低81.1%。此外，作为同时拥有Micro LED与12英寸碳化硅光学材料的企业，三安光电的碳化硅光学衬底面型参数行业领先，已向多家国内外终端及光学元件厂商小批量交付。三安光电已构建湖南、重庆双基地协同的碳化硅全链产能矩阵。