三安光电双技术路线布局,满足AI电源市场多样化需求
(全球TMT2026年3月31日讯)第三代半导体材料碳化硅(SiC),因高击穿场强、卓越热导率与低导通损耗,精准命中了AI电源对“高效率、高功率密度、高可靠性”的终极要求,成为支撑“东数西算”与绿色数据中心的核心基石。三安光电构建了从长晶、衬底、外延到芯片制造的垂直整合制造服务平台。旗下湖南三安已成功打造覆盖650V至2000V全电压梯度的碳化硅二极管与MOSFET产品矩阵,可满足从边缘计算服务器到超大规模数据中心的全场景需求。三安光电碳化硅产品已成功导入维谛技术、台达、光宝科技、长城电源、伟创力等全球头部电源制造商供应链,并实现稳定量产交付。

为全面覆盖AI电源从数据中心到边缘侧的广阔谱系需求,三安光电坚持“碳化硅+氮化镓(GaN)”双技术路线驱动。在持续优化碳化硅器件的同时,公司已推出适用于高频、高效场景的100V/650V GaN产品,并为国内头部设计公司提供代工服务。三安光电与意法半导体合作建设8英寸碳化硅芯片产线,加速技术落地与成本优化。

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