（全球TMT2026年1月28日讯）韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry，近期推出第四代200V高压0.18微米BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)工艺，将与国内外主要客户开展全面产品开发，目标年内实现量产。

随着汽车电气化和AI数据中心扩张加速，市场对高压、高效功率半导体需求快速增长。第四代200V高压0.18微米BCD工艺，与上一代工艺相比，Rsp（比导通电阻）和BVDSS（击穿电压）均提升了20%以上，具备更高的功率效率和高温稳定性；该工艺优化了低导通电阻器件，提供多层厚金属间 电介质(Thick IMD)选项，支持多种嵌入式存储选项及霍尔传感器，可提升芯片竞争力与设计灵活性。

该工艺可应用于开发多种产品，包括高压电源管理和转换IC、电机驱动器、发光二极管(LED)驱动器和电源栅极驱动器，且满足汽车可靠性标准AEC-Q100 Grade 0，可直接用于汽车电子元件。