（全球TMT2025年10月2日讯）全球硅智财（IP）领先供应商円星科技（M31 Technology Corporation，下称 M31）于台积公司北美开放创新平台（OIP）生态系论坛宣布，延续先前在台积电N12e制程上成功验证的低功耗IP解决方案，M31进一步扩展至N6e平台，推出全新超低漏电（ULL）、极低漏电（ELL）以及低电压操作（Low-VDD）存储器编译器。同时，M31再度荣获2025年台积公司OIP年度合作伙伴特殊制程IP奖，这是M31连续第八年获得此殊荣。

基于台积公司N6e先进制程开发的这系列存储器编译器，专为AI边缘运算与物联网（IoT）装置打造，进行极致低功耗优化设计，并提供采用LL、ULL与ELL SRAM bit cells的定制化解决方案。其中，N6e制程ULL存储器编译器具备高密度、高性能的SRAM与One Port Register File，并支持冗余（Redundancy）、电源闸控（Power Gating）、扫描测试（Scan）、内建自我测试（BIST）MUX以及宽频范围Dual-rail，能够实现动态电压与频率调整（DVFS），并采用High Sigma设计方法，确保在严苛边界条件下依然稳健运行。ELL存储器编译器则进一步提升功耗效率，在深度睡眠模式（Deep Sleep Mode）下可降低高达50%功耗。此外，低电压（Low-VDD）存储器编译器可在仅0.5V的操作电压下运行，大幅降低动态与漏电功耗。