
EDICON 2025:三安分享最新射频工艺进展
(全球TMT2025年4月25日讯)EDICON 2025射频和无线通信设计盛会于4月23-24日在北京召开。三安作为射频前端芯片制造平台的代表受邀出席,分享了无线通信市场的应用趋势思考及最新的射频工艺进展。三安凭借在砷化镓材料多年的外延研发经验,持续迭代砷化镓射频工艺能力,支持设计客户产品升级,以平台化的制造服务能力,提升设计效率和产品竞争力。

三安第三代砷化镓HBT工艺HP36/56采用三安自主开发外延,改善电容结构,以提升器件可靠性;在测试条件下,相比前代工艺的功放效率提升约3%,其中HP36为高阶5G应用定向开发了高线性度能力,HP56则是为复杂应用增强了器件的顽健性。此外,三安砷化镓工艺平台提供铜柱工艺以支持器件进行倒装封装,优化射频器件尺寸,提升系统效率;铜柱工艺全面采用激光切割工艺,可以进一步缩小铜柱间隙。同时,三安提供的滤波器也支持高阶模组设计,采用键合TC-SAW技术路线,具备快速迭代能力,并采用WLP封装形式满足集成化需求。
文章评论(0)