思坦科技在无掩膜光刻技术取得重大成果
(全球TMT2024年10月21日讯)由思坦科技与南方科技大学、香港科技大学、国家第三代半导体技术创新中心(苏州)联合攻关的重大成果——基于高功率 AlGaN深紫外Micro-LED显示的无掩膜光刻技术,于10月15日正式在国际顶尖权威学术期刊Nature Photonics上发表。思坦科技Micro-LED研究院青年研究员冯锋博士为第一作者,思坦科技创始人刘召军博士为通讯作者。本项工作中由思坦科技提供驱动IC芯片,并承担示范应用工作。
在传统光刻过程中,掩膜版的制造和更换成本高昂,光刻效率也受到多重限制。而思坦科技研发的高功率AlGaN深紫外Micro-LED技术,利用无掩膜光刻的方式,不仅解决了半导体制造中的关键技术瓶颈,还提供了一条制造成本更低、曝光效率更高的解决方案。该技术使用铝镓氮(AlGaN)材料制造出发光波长为270纳米的深紫外Micro-LED,这些LED像素尺寸仅为3微米,克服了传统光刻中的光功率限制,实现图案与光源集成。
目前,这种基于深紫外Micro-LED显示技术的无掩膜光刻方法已成功应用于Micro-LED显示屏幕制造中。这一突破显著节省了光刻掩模板制造的高成本,同时在效率上远超电子束直写的无掩膜曝光技术。接下来,思坦团队将继续提升AlGaN深紫外Micro-LED的性能,并对原型机进行改进,为半导体领域提供更高效、更具成本效益的芯片制造解决方案。
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