（全球TMT2024年9月12日讯）三星电子9月12日宣布，首款1太比特(Tb)四层单元(QLC)第九代V-NAND已正式开始量产。今年四月，三星启动了其首批三层单元(TLC)第九代V-NAND的量产，随后又实现了QLC第九代V-NAND的量产，这进一步巩固了三星在高容量、高性能NAND闪存市场中的地位。随着企业级SSD市场呈现日益增长的趋势，对人工智能应用的需求更加强劲，三星计划扩大QLC第九代V- NAND的应用范围，从品牌消费类产品扩展到移动通用闪存(UFS)、个人电脑和服务器SSD，为包括云服务提供商在内的客户提供服务。

三星QLC第九代V-NAND综合运用多项创新成果，实现了多项技术突破。通道孔蚀刻技术能够基于双堆栈架构实现当前业内最高的单元层数，并优化存储单元面积及外围电路，使位密度比上一代QLC V-NAND提升约86%。预设模具技术调整控制存储单元字线间距，使数据保存性能相比之前的版本提升约20%，增强了产品的可靠性。预测程序技术让写入性能翻倍，数据输入/输出速度提升60%。低功耗设计使得数据读取功耗分别下降约30%和50%，降低驱动NAND存储单元所需电压，从而尽可能减少功耗。