（全球TMT2024年9月11日讯）韩国8英寸纯晶圆代工厂SK启方半导体(SK keyfoundry)宣布推出其第四代0.18微米BCD工艺，性能较之前的第三代提升了约20%。该工艺提供高达40V的功率器件，并支持多种功率器件栅极输入电压，如3.3V、5V和18V，可应用于服务器和笔记本电脑PMIC、DDR5内存PMIC、移动充电器、音频放大器和汽车栅极驱动器等。此外，还提供MTP（可多次编程）/OTP（一次性编程）存储器、SRAM存储器等选项，帮助客户更好地进行产品设计。

第四代0.18微米BCD工艺符合汽车质量标准AEC-Q100 Grade 1，确保集成电路在125℃的高温环境下稳定运行，适用于汽车功率半导体。厚IMD（金属间介质）选项使得汽车产品设计能够承受超过15,000V的电压。凭借从第三代0.18微米BCD工艺中积攒的量产经验以及客户信任，该公司期望新一代工艺能够延长移动设备电池寿命，通过减少发热实现稳定性能，并提高汽车用功率半导体的能源效率来改善整体性能。