韩国SK海力士二工厂项目竣工投产

SK海力士(SK hynix)中国无锡DRAM流水线C2F竣工。C2F在原有DRAM半导体流水线(C2)的基础上进行扩建。SK海力士2004年与无锡市签署建厂协议,从2006年开始生产DRAM。当时建成的C2流水线是SK海力士的第一个300毫米晶片工厂(FAB),为SK海力士的发展起到了重大作用。SK海力士从2017年6月开始投资扩建半导体生产厂房(无尘车间),截至本月共投入了9500亿韩元。这次扩建将无锡工厂的DRAM产能从原来的12万张晶片提高到了18万张,中国工厂产能占SK海力士DRAM总产能的比例也将提高到40-50%。