全球TMT2020年11月10日，德州仪器（TI）推出了面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），进一步丰富拓展了其高压电源管理产品线。与现有解决方案相比，新的GaN FET系列采用快速切换的2.2 MHz集成栅极驱动器，可帮助工程师提供两倍的功率密度和高达99%的效率，并将电源磁性器件的尺寸减少59%。

与现有的Si或SiC解决方案相比，使用TI的新型车用GaN FET可将电动汽车（EV）车载充电器和DC/DC转换器的尺寸减少多达50%，从而使工程师能够延长电池续航，提高系统可靠性并降低设计成本。在工业设计中，这些新器件可在更低功耗和更小电路板空间占用的情况下，在AC/DC电力输送应用（例如超大规模的企业计算平台以及5G电信整流器）中实现更高的效率和功率密度。

TI的新型GaN FET集成了快速开关驱动器以及内部保护和温度感应功能，使工程师能够在电源管理设计中减小电路板尺寸、降低功耗的同时实现高性能。这种集成再加上TI GaN技术的高功率密度，使工程师能够在通常的离散解决方案中减少10多个组件。此外，在半桥配置中应用时，每个新型30mΩ FET均可支持高达4 kW的功率转换。 

GaN具有快速开关的优势，可实现更小、更轻、更高效的电源系统。在过去，要获得快速的开关性能，就会有更高的功率损耗。为了避免这种不利后果，新型GaN FET采用了TI的智能死区自适应功能，以减少功率损耗。采用TI GaN FET的封装产品，其热阻抗比性能最接近的同类产品还要低23%，因此可使工程师使用更小的散热器，同时简化散热设计。此外，FET集成的数字温度报告功能还可实现有源电源管理，从而使工程师能在多变的负载和工作条件下优化系统的热性能。