（全球TMT2024年4月23日讯）近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产。凭借当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度，三星第九代V-NAND的位密度比第八代V-NAND提高了约50%。

此外，三星的“通道孔蚀刻”技术通过堆叠模具层来创建电子通路，可在双层结构中同时钻孔，达到三星最高的单元层数，从而最大限度地提高了制造生产率。第九代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle 5.1”，可将数据输入/输出速度提高33%，最高可达每秒3.2千兆位(Gbps)。与上一代产品相比，基于三星在低功耗设计方面取得的进步，第九代V-NAND的功耗也降低了10%。三星已于本月开始量产第九代V-NAND 1Tb TLC产品，并将于今年下半年开始量产四层单元(QLC)第九代V-NAND。