（全球TMT2024年4月19日讯）SK海力士公司(SK hynix Inc.)宣布，近日与台积电(TSMC)签署了一份谅解备忘录，合作生产下一代HBM，并通过先进的封装技术增强逻辑和HBM的集成度。该公司计划通过这一计划继续开发HBM4，即HBM系列的第六代产品，计划从2026年开始量产。

SK海力士表示，人工智能内存领域的全球领导者与全球顶级逻辑代工企业台积电之间的合作，将带来更多HBM技术的创新。此次合作还有望通过产品设计、代工厂和存储器供应商之间的三方合作，实现存储器性能的突破。

两家公司将首先专注于提高安装在HBM封装最底部的基础芯片的性能。HBM是通过将核心DRAM芯片堆叠在采用TSV技术的基础芯片上，并将DRAM堆栈中的固定数量的层垂直连接到具有TSV的核心芯片中，从而制成HBM封装。位于底部的基本芯片连接到控制HBM的GPU。

SK海力士已经使用了一项专利技术来制造HBM3E的基础芯片，但计划在HBM4的基础芯片上采用台积电的先进逻辑工艺，以便在有限的空间内封装额外的功能。这也有助于SK海力士生产定制的HBM，以满足客户对性能和能效的广泛需求。SK海力士和台积电还同意合作优化SK海力士的HBM和台积电的CoWoS技术的整合，同时合作响应客户对HBM的共同要求。