三安集成在电子设计创新大会上分享技术突破

三安集成在电子设计创新大会上分享技术突破

(全球TMT2024年4月10日讯)EDICON CHINA 2024 (电子设计创新大会)于4月9日-10日在北京会议中心正式举行。三安集成作为化合物射频前端器件的整合服务商,应邀参与大会,并在技术报告会中做出分享。

三安集成应邀参与EDICON 2024,并在技术报告会中做出分享。
三安集成应邀参与EDICON 2024,并在技术报告会中做出分享。

三安集成新一代的砷化镓射频器件制造工艺针对市场主流的模组化趋势,能够为客户提供更高性能的解决方案。三安集成通过在外延材料及工艺端的改善,发展的HP1/HP2工艺,对比起前代的HG6/HG7,在IMD3和PAE均有明显的改善,能够满足在复杂工况下的信号输出稳定需求。同时,配合新一代的铜柱工艺,实现晶圆的轻薄化和良好散热特性,减小模组尺寸,缩减成本、提升整体系统性能。三安集成的砷化镓HBT工艺已经覆盖了2/3/4G,Sub-6GHz,以及Wi-Fi 7等无线通信应用。砷化镓PHEMT是三安集成的另一工艺体系,目前已进展到0.1um的工艺节点,可以满足客户在Ka至W波段的高频应用。