（全球TMT2022年6月30日讯）2022年6月30日，作为先进的半导体技术厂商之一的三星电子宣布, 基于3纳米（nm）全环绕栅极（Gate-All-AroundT,简称 GAA）制程工艺节点的芯片已经开始初步生产。

三星电子首次实现GAA"多桥-通道场效应晶体管"（简称: MBCFET^TM  Multi-Bridge-Channel FET）应用打破了FinFET技术的性能限制，通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。三星首先将纳米片晶体管应用于高性能、低功耗计算领域的半导体芯片，并计划将其扩大至移动处理器领域。

3nmGAA 技术采用了更宽通的纳米片，与采用窄通道纳米线的GAA 技术相比能提供更高的性能和能耗比。3纳米GAA 技术上，三星能够调整纳米晶体管的通道宽度，优化功耗和性能，从而能够满足客户的多元需求。此外，GAA 的设计灵活性对设计技术协同优化（DTCO) 非常有利，有助于实现更好的PPA 优势。与三星5nm工艺相比，第一代3nm工艺可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面积减少16%；而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少 35%。