中韩闪存芯片技术差缩短至2年;全球科技公司5月裁员1.68万人

(全球TMT2022年6月1日讯)中韩闪存芯片技术差缩短至2年

韩国研究机构OERI在报告中称,估计韩企和中国厂商在DRAM芯片的技术差距已缩短至5年,NAND闪存芯片则已经缩短至2年。具体来说,三星和SK海力士计划在年底前投产第五代10nm级(1b或者说12nm)内存芯片,国产DRAM代表企业合肥长鑫今年的打算则是第二代10nm(1y或者说16/17nm)。一般而言,DRAM每一代的演进时间是2年到2年半。长江存储从2021年8月开始量产64层3D NAND,比三星、SK海力士只晚了两年。至于更先进的超200层3D闪存,三星和SK海力士需要等到明年初,预计长江存储会在2024年做到这一点。

全球科技公司5月裁员1.68万人

根据科技就业跟踪网站layoff.fyi的数据,全球66家科技公司在上个月发出了高达1.68万份解雇通知书,超过了2022年前4个月52家公司裁员的总和1.36万人,是自2020年5月以来单月裁员人数最多的一次。此前,在低利率和股价飙升的支撑下,科技公司在2020年底和2021年大举招聘,激烈争夺人才。Meta、推特等大型科技公司都冻结了部分部门的招聘,而微软、Snap、Uber、Salesforce、Instacart和Coinbase等其他公司也放缓了招聘速度。