全球TMT2020年7月30日，中微半导体设备（上海）股份有限公司宣布推出Prismo HiT3^TM MOCVD设备，主要用于深紫外LED量产。中微Prismo HiT3^TM是中微Prismo系列MOCVD设备的最新产品。该设备是适用于高质量氮化铝和高铝组分材料生长的关键设备，反应腔最高温度可达1400度，具有优异的工艺重复性、均匀性和低缺陷率。该设备同时也为高产量而设计，单炉可生长18片2英寸外延晶片，并可延伸到生长4英寸晶片。

中微公司设计的Prismo HiT3^TM MOCVD设备具有新颖的腔体设计，能在高温环境下生长高质量氮化铝工艺，并具有业内领先的深紫外LED高产出率；同时具备较长的平均免开腔维护间隔时间，进一步延长正常运行时间并提高产能。真空自动化传输系统可以抑制颗粒物的产生，并减少缺陷。自动化升降机构可方便维护操作并有效节省维护时间。

中微公司Prismo HiT3^TM MOCVD设备早期的客户包括国内领先的深紫外LED制造商马鞍山杰生半导体有限公司，该公司的深紫外LED在家用、医疗和科研设备等领域有广泛应用。