（全球TMT2021年5月25日讯）芯片和IP核供应商，Rambus Inc.宣布推出Rambus HBM2E内存接口子系统，该子系统包括一个完全集成的PHY和控制器，在三星先进的14 / 11nm FinFET工艺上经过硅验证。 通过利用30多年的信号完整性专业知识，Rambus解决方案的运行速度高达3.2 Gbps，可提供410 GB / s的带宽。 这种性能满足了TB级带宽加速器的需求，此类加速器针对性能要求最为严苛的AI / ML训练和高性能计算（HPC）应用。

完全集成的，可投入生产的Rambus HBM2E内存子系统以3.2 Gbps的速度运行，为设计人员在平台实现上提供了很大的裕量空间。 Rambus和三星合作，通过利用三星的14/11nm工艺和先进的封装技术对HBM2E PHY和内存控制器IP核进行硅验证。

Rambus HBM2E内存接口（PHY和控制器）的优点：

• 通过单个HBM2E DRAM 3D器件实现每引脚3.2 Gbps的速度，提供410 GB / s的系统带宽
• 硅HBM2E PHY和控制器完全集成并经过验证，可降低ASIC设计的复杂性并加快上市时间 
• 作为IP授权的一部分，提供包含2.5D封装和中介层参考设计
• 提供Rambus系统和SI / PI专家的技术支持，帮助ASIC设计人员确保设备和系统的最大信号与电源完整性 
• 具有特色的LabStation™开发环境，可协助客户回片后快速点亮系统,校正和侦错 
• 支持高性能应用程序，包括最先进的AI / ML训练和高性能计算（HPC）系统