（全球TMT2020年12月3日讯）中国化合物半导体全产业链制造平台 --  三安集成于日前宣布，已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80mΩ产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试，其可广泛适用于光伏逆变器、开关电源、脉冲电源、高压DC/DC、新能源充电和电机驱动等应用领域，有助于减小系统体积，降低系统功耗，提升电源系统功率密度。目前多家客户处于样品测试阶段。

本次推出的1200V 80mΩ 碳化硅MOSFET，与传统的硅基IGBT功率器件相比，宽禁带碳化硅材料拥有“更高、更快、更强”的特性 --  更高的耐压和耐热、更快的开关频率，更低的开关损耗。

由于器件结构的原因，碳化硅MOSFET的体二极管是PiN二极管，器件的开启电压高，损耗大。在实际使用中，往往会通过并联肖特基二极管作续流，减小系统损耗。三安集成的碳化硅MOSFET通过优化器件结构和布局，大大增强碳化硅体二极管的通流能力，不需要额外并联二极管，降低系统成本，减小系统体积。

如何能够得到优质的碳化硅栅氧结构是目前业界普遍的难题。栅氧质量不仅会影响MOSFET的沟道通流能力，造成阈值漂移现象，严重时会导致可靠性的失效。三安集成通过反复试验和优化栅氧条件，阈值电压的稳定性得到明显提高，1000hr的阈值漂移在0.2V以内。

目前行业内碳化硅MOSFET缺货声音不断，三安集成加速碳化硅器件产能扩张。今年7月在长沙高新区开工建设的湖南三安碳化硅全产业链园区，计划总投资160亿元，占地1000亩。目前项目一期工程建筑主体已拔地而起，计划将于2021年6月开始试产。不到1年的时间，在茅草荒地上建立一个全面涵盖碳化硅晶体生长、衬底、外延、晶圆制造和封装测试的全产业链现代化制造基地。