全球TMT2020年9月10日，专注于使数据更快更安全并领先业界的silicon IP和芯片提供商，Rambus Inc. 宣布HBM2E内存接口解决方案实现了创纪录的4 Gbps性能。该解决方案由完全集成的PHY和控制器组成，搭配业界最快的，来自SK hynix的3.6Gbps运行速度的HBM2E DRAM，该解决方案可以从单个HBM2E设备提供460 GB/s的带宽。此性能可以满足TB级的带宽需求，针对最苛刻的AI/ML训练和高性能的加速器计算（HPC）应用而生。

完全集成并已可投产的Rambus HBM2E内存子系统以4Gbps的速度运行，无需要求PHY电压过载。Rambus与SK hynix和Alchip的合作，采用台积公司领先的N7工艺和CoWoS®先进封装技术，实现了HBM2E 2.5D系统在硅中验证Rambus HBM2E PHY和内存控制器IP。Alchip与Rambus的工程团队共同设计，负责中介层和封装基板的设计。

Rambus拥有30年的高速内存设计经验，并将其应用于最苛刻的计算应用。其著名的信号完整性专业知识是实现能够运行4 Gbps的HBM2E内存接口的关键。这为满足AI/ML训练中永不满足的带宽需求立下了一个新的标杆。