（全球TMT2026年4月24日讯）全球硅知识产权（IP）领导供应商M31円星科技（M31）4月23日于2026年台积电北美技术研讨会宣布，其eUSB2V2接口IP已于台积电（TSMC）N2P工艺完成流片（Tapeout）。M31表示，该成果展现公司在先进工艺接口IP的投入，并将强化2纳米世代的设计，支援客户于高整合SoC中导入高速、低功耗的连结接口。

在与既有USB 2.0生态系统相容的前提下，支援1.2V/0.9V低电压操作，通过强化类比前端设计，包含导入可编程传输去加重（De-emphasis）与接收端CTLE/VGA等化技术，显著提升在先进工艺下传输通道的稳健性与设计弹性。eUSB2V2最高可支援4.8 Gbps(HS10) 传输速率，并通过全新的等时传输突发机制提高同时传输的效率。eUSB2V2支援非对称频宽的HSUx/HSDx模式，预期在标准操作模式下达成50mW的极佳功耗表现。搭配N2P工艺，尤其适合AI、HPC与移动设备等追求高效能与低功耗平衡的应用。