（全球TMT2021年3月16日讯）中微半导体设备（上海）股份有限公司（简称“中微公司”）在SEMICON China 2021期间正式发布了新一代电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备Primo Twin-Star^®，用于IC器件前道和后道制程导电/电介质膜的刻蚀应用。

基于中微公司业已成熟的单台反应器的电感耦合等离子体（ICP）刻蚀技术和双台反应器的Primo平台，Primo Twin-Star^®为电介质前道/后道制程、多晶硅刻蚀、DTI和BSI刻蚀等提供了高性价比的刻蚀解决方案。它的创新设计包括：Primo Twin-Star^®使用了双反应台腔体设计和低电容耦合3D线圈设计，创新的反应腔设计可最大程度减弱非中心对称抽气口效应，通过采用多区温控静电吸盘（ESC）增强了对关键尺寸均匀性和重复性的控制。

凭借这些优异的性能和其他特性，与其他同类设备相比，Primo Twin-Star^® 以更小的占地面积、更低的生产成本和更高的输出效率，进行ICP适用的逻辑和存储芯片的介质和导体的各种刻蚀应用，并用于功率器件和CMOS图像传感器（CIS）的刻蚀应用。由于Primo Twin-Star^®反应器在很多方面采取了和单台机Primo nanova^®相同或相似的设计，在众多的刻蚀应用中，Primo Twin-Star^®显示了和单台反应器相同的刻蚀结果。这就给客户提供了高质量、高输出和低成本的解决方案。

中微公司的Primo Twin-Star^®刻蚀设备已收到来自国内领先客户的订单。目前，首台Primo Twin-Star^®设备已交付客户投入生产，良率稳定。公司还在进行用于不同刻蚀应用的多项评估。Primo Twin-Star^®设备优化了中微公司电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备产品线。