（全球TMT2025年7月18日讯）先进逻辑半导体制造商Rapidus公司宣布，其2nm栅极全能（GAA）晶体管结构的原型设计已经在Rapidus的创新集成制造（IIM-1）代工厂开始试制。原型晶圆已启动电性参数测试。

Rapidus的新IIM-1代工代表了传统代工模式的重大进步。该公司正在重新构想半导体工厂应该如何通过尖端的方法和技术实时思考、学习、适应和优化流程，包括：

完全单晶圆前端处理：在单晶圆工艺中，可以对单晶圆进行调整，并进行检查，如果成功，则应用于所有后续晶圆。单个晶圆捕获更多数据，使人工智能模型能够得到训练，以改善晶圆生产并提高产量。Rapidus是首批将完全商业化单晶圆处理的公司之一，这是其快速和统一制造服务（RUM）的核心。

极紫外光刻(EUV)技术 ：极紫外光刻技术是实现2nm半导体的关键技术之一。先进的光刻工艺是形成2nm一代GAA结构的关键。Rapidus是日本第一家安装先进EUV设备的公司。此外，在2024年12月设备交付约三个月后，该公司于2025年4月1日成功完成了EUV曝光。

在不到三年的时间里，Rapidus已经实现了IIM-1的目标里程碑——从2023年9月的初步破土动工，到2024年的洁净室完工，再到2025年6月，连接了200多台世界上最先进的半导体设备。这些成就与如今宣布的2nm GAA晶体管原型和获得电气特性相辅相成。

Rapidus正在开发与IIM-1的2nm工艺兼容的工艺开发套件，并将在2026年第一季度向客户发布，同时准备一个客户可以启动自己的原型的环境。Rapidus将于2027年开始量产。